Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon (2004)
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
ABNT
ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e SCHMIDT, Tome Mauro e FAZZIO, Adalberto. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf. Acesso em: 27 abr. 2024.APA
Arantes Junior, J. T., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2004). Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdfNLM
Arantes Junior JT, Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdfVancouver
Arantes Junior JT, Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio studyof '90 IND.0' partial dislocation in silicon [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1137-1.pdf